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MOSFET
IPB027N10N3 G参考图

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IPB027N10N3 G

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IPB027N10N3 G数据手册
IPB027N10N3 G参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
206 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
94 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
84 ns
典型接通延迟时间
34 ns
零件号别名
IPB027N10N3GATMA1 IPB27N1N3GXT SP000506508
单位重量
4 g
介绍图
IPB027N10N3 G代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市易禾电子有限公司陈先生
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苏州芯华胜半导体科技有限公司向翱
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深圳市安富世纪电子有限公司杨丹妮
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天天IC网为您提供了由Infineon Technologies生产的IPB027N10N3 G的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有IPB027N10N3 G参数信息、推荐的产品和IPB027N10N3 G数据手册可供查阅。IPB027N10N3 G功能描述为:MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3,你可以查阅IPB027N10N3 G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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