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MOS(场效应管)
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HSBA6040
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：116A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：113W 类型：N沟道
- HUASHUO(华朔)
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HSBA6040参数信息
| 参数 | 参数值 |
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商品类型
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MOS(场效应管)
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漏源电压（Vdss）
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60V
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）
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116A
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栅源极阈值电压
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2.5V @ 250uA
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漏源导通电阻
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5.2mΩ @ 30A,10V
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最大功率耗散（Ta=25°C）
|
113W
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类型
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N沟道
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天天IC网为您提供了由HUASHUO(华朔)生产的HSBA6040的详细信息及分销商代理商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有HSBA6040参数信息、推荐的产品和HSBA6040数据手册可供查阅。HSBA6040功能描述为：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：116A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：113W 类型：N沟道,你可以查阅HSBA6040中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料，资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。