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MOSFET
BUK9507-30B参考图

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BUK9507-30B

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BUK9507-30B数据手册
BUK9507-30B参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
MOSFET
RoHS
商标
NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流
108 A
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
晶体管极性
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压
15 V
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
157 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Rail
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降时间
98 ns
最小工作温度
- 55 C
上升时间
135 ns
工厂包装数量
50
典型关闭延迟时间
99 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
BUK9507-30B,127
介绍图
BUK9507-30B代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市安富世纪电子有限公司杨丹妮
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深圳市中飞凌科技有限公司郭小姐
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  • 电话:
深圳市腾迅辉电子科技有限公司文燕
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现代芯城(深圳)科技有限公司董先生
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现代芯城(深圳)科技有限公司董先生
  • 手机:
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天天IC网为您提供了由NXP Semiconductors生产的BUK9507-30B的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有BUK9507-30B参数信息、推荐的产品和BUK9507-30B数据手册可供查阅。BUK9507-30B功能描述为: MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS ,你可以查阅BUK9507-30B中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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