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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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BLS6G3135-20
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BLS6G3135-20参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
制造商
|
NXP
|
|
产品种类
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
RoHS
|
是
|
|
商标
|
NXP Semiconductors
|
|
Id-连续漏极电流
|
2.1 A
|
|
Vds-漏源极击穿电压
|
60 V
|
|
Rds On-漏源导通电阻
|
580 mOhms
|
|
晶体管极性
|
N-Channel
|
|
技术
|
Si
|
|
Vgs-栅源极击穿电压
|
13 V
|
|
增益
|
15.5 dB
|
|
输出功率
|
20 W
|
|
最大工作温度
|
+ 150 C
|
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
|
封装 / 箱体
|
SOT-608A
|
|
封装
|
Tray
|
|
最小工作温度
|
- 65 C
|
|
工作频率
|
3.1 GHz to 3.5 GHz
|
|
工厂包装数量
|
20
|
|
类型
|
RF Power MOSFET
|
|
Vgs th-栅源极阈值电压
|
2 V
|
|
零件号别名
|
BLS6G3135-20,112
|
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