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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
图片仅供参考， 请参阅产品规格
275-201N25A-00
- 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275-201N25A-00 200V 25A N Channel MOSFET Transistor
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275-201N25A-00参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
制造商
|
IXYS
|
|
产品种类
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
RoHS
|
是
|
|
晶体管极性
|
N-Channel
|
|
技术
|
Si
|
|
Id-连续漏极电流
|
25 A
|
|
Vds-漏源极击穿电压
|
200 V
|
|
Rds On-漏源导通电阻
|
13 Ohms
|
|
输出功率
|
590 W
|
|
最小工作温度
|
- 55 C
|
|
最大工作温度
|
+ 175 C
|
|
安装风格
|
SMD/SMT
|
|
封装 / 箱体
|
SMD-6
|
|
封装
|
Tube
|
|
工作频率
|
100 MHz
|
|
类型
|
RF Power MOSFET
|
|
商标
|
IXYS
|
|
正向跨导 - 最小值
|
13 S
|
|
通道数量
|
1 Channel
|
|
产品类型
|
RF MOSFET Transistors
|
|
Qg-栅极电荷
|
81 nC
|
|
工厂包装数量
|
30
|
|
子类别
|
MOSFETs
|
|
Vgs - 栅极-源极电压
|
20 V
|
|
Vgs th-栅源极阈值电压
|
2.5 V
|
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