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1N6165AUSJANTXV
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1N6165AUSJANTXV
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1N6165AUSJANTXV参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
包装：
|
2G-MELF
|
|
配置：
|
Single
|
|
方向类型：
|
Bi-Directional
|
|
峰值脉冲功率耗散：
|
1500 W
|
|
最大峰值脉冲电流：
|
12 A
|
|
最大反向漏泄电流：
|
5 uA
|
|
最大钳位电压：
|
125.1 V
|
|
最大反向防区外电压：
|
69.2 V
|
|
最小击穿电压：
|
86.5 V
|
|
测试电流：
|
15 mA
|
|
工作温度：
|
-55 to 175 °C
|
|
安装：
|
Surface Mount
|
|
标准包装：
|
Trays
|
天天IC网为您提供了由microsemi生产的1N6165AUSJANTXV的详细信息及分销商代理商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有1N6165AUSJANTXV参数信息、推荐的产品和1N6165AUSJANTXV数据手册可供查阅。1N6165AUSJANTXV功能描述为： Diode TVS Single Bi-Dir 69.2V 1.5KW 2-Pin G-MELF,你可以查阅1N6165AUSJANTXV中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料，资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。