- 当前位置:
- 首页
- >
- 元器件详细参数
- >
- 1N6143JANTX代理商/详细参数
1N6143JANTX
图片仅供参考, 请参阅产品规格
1N6143JANTX
- Diode TVS Single Bi-Dir 8.4V 1.5KW 2-Pin Case G
- microsemi
- 1N6143JANTX代理商/分销商
购买、咨询产品请提交询价信息
推荐的产品
- 1N6142JANTXV
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 7.6V 1.5KW 2-Pin Case G
- 1N6141AJAN
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 6.9V 1.5KW 2-Pin Case G
- 1N6139JAN
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 5.7V 1.5KW 2-Pin Case G
- 1N6136USJANTXV
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 136.8V 500W 2-Pin E-MELF
- 1N6135USJANTXV
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 121V 500W 2-Pin E-MELF
- 1N6135USJANTX
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 121V 500W 2-Pin E-MELF
- 1N6132JANTXV
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 91.2V 500W 2-Pin Case E
- 1N6132JAN
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 91.2V 500W 2-Pin Case E
- 1N6131USJAN
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 86.6V 500W 2-Pin E-MELF
- 1N6131JANTXV
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 86.6V 500W 2-Pin Case E
1N6143JANTX参数信息
参数 | 参数值 |
包装:
|
2Case G
|
配置:
|
Single
|
方向类型:
|
Bi-Directional
|
峰值脉冲功率耗散:
|
1500 W
|
最大峰值脉冲电流:
|
96.2 A
|
最大反向漏泄电流:
|
10 uA
|
最大钳位电压:
|
15.6 V
|
最大反向防区外电压:
|
8.4 V
|
最小击穿电压:
|
10.45 V
|
测试电流:
|
125 mA
|
工作温度:
|
-55 to 175 °C
|
安装:
|
Through Hole
|
标准包装:
|
Bulk
|
天天IC网为您提供了由microsemi生产的1N6143JANTX的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有1N6143JANTX参数信息、推荐的产品和1N6143JANTX数据手册可供查阅。1N6143JANTX功能描述为: Diode TVS Single Bi-Dir 8.4V 1.5KW 2-Pin Case G,你可以查阅1N6143JANTX中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。