- 当前位置:
- 首页
- >
- 元器件详细参数
- >
- 1N6143AUSJANTXV代理商/详细参数
1N6143AUSJANTXV
图片仅供参考, 请参阅产品规格
1N6143AUSJANTXV
购买、咨询产品请提交询价信息
推荐的产品
- 1N6141AJANTX
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 6.9V 1.5KW 2-Pin Case G
- 1N6140JANTXV
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 6.2V 1.5KW 2-Pin Case G
- 1N6139AUSJAN
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 5.7V 1.5KW 2-Pin G-MELF
- 1N6139AJANTX
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 5.7V 1.5KW 2-Pin Case G
- 1N6137AUSJANTXV
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 152V 500W 2-Pin E-MELF
- 1N6136AUSJANTXV
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 136.8V 500W 2-Pin E-MELF
- 1N6135USJAN
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 121V 500W 2-Pin E-MELF
- 1N6135AUSJAN
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 121.6V 500W 2-Pin E-MELF
- 1N6133AUSJAN
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 98.8V 500W 2-Pin E-MELF
- 1N6132USJAN
- 品牌:microsemi
- 描述: Diode TVS Single Bi-Dir 91.2V 500W 2-Pin E-MELF
1N6143AUSJANTXV参数信息
参数 | 参数值 |
包装:
|
2G-MELF
|
配置:
|
Single
|
方向类型:
|
Bi-Directional
|
峰值脉冲功率耗散:
|
1500 W
|
最大峰值脉冲电流:
|
96.2 A
|
最大反向漏泄电流:
|
20 uA
|
最大钳位电压:
|
15.6 V
|
最大反向防区外电压:
|
8.4 V
|
最小击穿电压:
|
10.45 V
|
测试电流:
|
125 mA
|
工作温度:
|
-55 to 175 °C
|
安装:
|
Surface Mount
|
标准包装:
|
Trays
|
天天IC网为您提供了由microsemi生产的1N6143AUSJANTXV的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有1N6143AUSJANTXV参数信息、推荐的产品和1N6143AUSJANTXV数据手册可供查阅。1N6143AUSJANTXV功能描述为: Diode TVS Single Bi-Dir 8.4V 1.5KW 2-Pin G-MELF,你可以查阅1N6143AUSJANTXV中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。