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1N6142USJANTX
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1N6142USJANTX
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1N6142USJANTX参数信息
参数 | 参数值 |
包装:
|
2G-MELF
|
配置:
|
Single
|
方向类型:
|
Bi-Directional
|
峰值脉冲功率耗散:
|
1500 W
|
最大峰值脉冲电流:
|
103.4 A
|
最大反向漏泄电流:
|
100 uA
|
最大钳位电压:
|
14.5 V
|
最大反向防区外电压:
|
7.6 V
|
最小击穿电压:
|
9.5 V
|
测试电流:
|
125 mA
|
工作温度:
|
-55 to 125 °C
|
安装:
|
Surface Mount
|
标准包装:
|
Trays
|
天天IC网为您提供了由microsemi生产的1N6142USJANTX的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有1N6142USJANTX参数信息、推荐的产品和1N6142USJANTX数据手册可供查阅。1N6142USJANTX功能描述为: Diode TVS Single Bi-Dir 7.6V 1.5KW 2-Pin G-MELF,你可以查阅1N6142USJANTX中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。