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1N6142JANTX
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1N6142JANTX

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1N6142JANTX参数信息
参数参数值
包装:
2Case G
配置:
Single
方向类型:
Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散:
1500 W
最大峰值脉冲电流:
103.4 A
最大反向漏泄电流:
100 uA
最大钳位电压:
14.5 V
最大反向防区外电压:
7.6 V
最小击穿电压:
9.5 V
测试电流:
125 mA
工作温度:
-55 to 175 °C
安装:
Through Hole
标准包装:
Bulk
介绍图
1N6142JANTX代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市安富世纪电子有限公司杨丹妮
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深圳创德兴科技有限公司方小姐
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  • 电话:
深圳市德东科技有限公司吴先生
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  • 电话:
深圳市永拓丰科技有限公司黄女士
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  • 电话:
中科晟芯(深圳)电子科技有限公司
  • 手机:
  • 电话:
天天IC网为您提供了由microsemi生产的1N6142JANTX的详细信息及分销商代理商信息,您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有1N6142JANTX参数信息、推荐的产品和1N6142JANTX数据手册可供查阅。1N6142JANTX功能描述为: Diode TVS Single Bi-Dir 7.6V 1.5KW 2-Pin Case G,你可以查阅1N6142JANTX中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料,资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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