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MOS(场效应管)
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14N50L-TQ2-R
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道
- UTC(友顺)
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14N50L-TQ2-R参数信息
| 参数 | 参数值 |
|
商品类型
|
MOS(场效应管)
|
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漏源电压（Vdss）
|
500V
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）
|
14A(Tc)
|
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栅源极阈值电压
|
4.5V @ 100uA
|
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漏源导通电阻
|
500mΩ @ 7A,10V
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最大功率耗散（Ta=25°C）
|
150W(Tc)
|
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类型
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N沟道
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天天IC网为您提供了由UTC(友顺)生产的14N50L-TQ2-R的详细信息及分销商代理商信息，您可以联系他们通过原厂、代理商等渠道进行代购。这里有14N50L-TQ2-R参数信息、推荐的产品和14N50L-TQ2-R数据手册可供查阅。14N50L-TQ2-R功能描述为：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 100uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道,你可以查阅14N50L-TQ2-R中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书等资料，资料中有详细的引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。