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IRFZ48RSPBF
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IRFZ48RSPBF
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IRFZ48RSPBF参数信息
参数 | 参数值 |
FET类型:
|
N 沟道
|
技术:
|
MOSFET(金属氧化物)
|
电流-连续漏极(Id)(25°C时):
|
50A(Tc)
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驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):
|
10V
|
不同Id时的Vgs(th)(最大值):
|
4V @ 250µA
|
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
|
110nC @ 10V
|
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):
|
2400pF @ 25V
|
Vgs(最大值):
|
±20V
|
功率耗散(最大值):
|
190W(Tc)
|
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):
|
18 毫欧 @ 43A,10V
|
工作温度:
|
-55°C ~ 175°C(TJ)
|
安装类型:
|
表面贴装
|
封装/外壳:
|
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
|
封装形式Package:
|
D2PAK
|
极性Polarity:
|
N-CH
|
漏源极击穿电压VDSS:
|
60V
|
连续漏极电流ID:
|
50A
|
无铅情况/RoHs:
|
否
|
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