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IRFZ44VPBF
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IRFZ44VPBF
- Single N-Channel 60 V 115 W 67 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
- Infineon Technologies
- IRFZ44VPBF代理商/分销商
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IRFZ44VPBF参数信息
| 参数 | 参数值 |
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封装/外壳：
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TO220
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FET 类型：
|
N 沟道
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技术：
|
MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）：
|
60V
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|
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
|
55A（Tc）
|
|
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
|
10V
|
|
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
|
16.5 毫欧 @ 31A，10V
|
|
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
|
4V @ 250µA
|
|
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
|
67nC @ 10V
|
|
Vgs（最大值）：
|
±20V
|
|
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
|
1812pF @ 25V
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功率耗散（最大值）：
|
115W（Tc）
|
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工作温度：
|
-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型：
|
通孔
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系列：
|
HEXFET®
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|
FET类型：
|
N 沟道
|
|
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：
|
55A（Tc）
|
|
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：
|
10V
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|
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：
|
4V @ 250µA
|
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不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
|
67nC @ 10V
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不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：
|
1812pF @ 25V
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不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：
|
16.5 毫欧 @ 31A，10V
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封装形式Package：
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TO-220AB
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极性Polarity：
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N-CH
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漏源极击穿电压VDSS：
|
60V
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连续漏极电流ID：
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55A
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供应商器件封装：
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TO-220AB
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无铅情况/RoHs：
|
无铅/符合RoHs
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