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IRFZ24参数信息
参数 | 参数值 |
FET 类型:
|
N 沟道
|
技术:
|
MOSFET(金属氧化物)
|
漏源电压(Vdss):
|
60V
|
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
|
17A(Tc)
|
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
|
10V
|
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
|
4V @ 250µA
|
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
|
25nC @ 10V
|
Vgs(最大值):
|
±20V
|
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
|
640pF @ 25V
|
功率耗散(最大值):
|
60W(Tc)
|
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
|
100 毫欧 @ 10A,10V
|
工作温度:
|
-55°C ~ 175°C(TJ)
|
安装类型:
|
通孔
|
供应商器件封装:
|
TO-220AB
|
封装/外壳:
|
TO-220-3
|
无铅情况/RoHs:
|
无铅/符合RoHs
|
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