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HIP6602BCBZ
图片仅供参考, 请参阅产品规格
HIP6602BCBZ
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HIP6602BCBZ参数信息
参数 | 参数值 |
驱动配置:
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半桥
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通道类型:
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同步
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驱动器数:
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4
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栅极类型:
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N 沟道 MOSFET
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电压 - 电源:
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10.8 V ~ 13.2 V
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输入类型:
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非反相
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高压侧电压 - 最大值(自举):
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15V
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上升/下降时间(典型值):
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20ns,20ns
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工作温度:
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0°C ~ 125°C(TJ)
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安装类型:
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表面贴装
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封装/外壳:
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14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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供应商器件封装:
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14-SOIC
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无铅情况/RoHs:
|
无铅/符合RoHs
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