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HIP6602BCBZ
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HIP6602BCBZ

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HIP6602BCBZ数据手册
HIP6602BCBZ参数信息
参数参数值
驱动配置:
半桥
通道类型:
同步
驱动器数:
4
栅极类型:
N 沟道 MOSFET
电压 - 电源:
10.8 V ~ 13.2 V
输入类型:
非反相
高压侧电压 - 最大值(自举):
15V
上升/下降时间(典型值):
20ns,20ns
工作温度:
0°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:
14-SOIC
无铅情况/RoHs:
无铅/符合RoHs
介绍图
HIP6602BCBZ代理商/分销商
代理商/分销商联系人联系电话在线联系
深圳市安富世纪电子有限公司杨丹妮
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深圳市中飞凌科技有限公司郭小姐
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深圳市星宇佳科技有限公司小柯
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深圳市拓亿芯电子有限公司刘先生,李小姐
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深圳市毅创腾电子科技有限公司朱小姐
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